原创力文档- 33
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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明涉及制备栅氧化层的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括提供一半导体衬底，半导体衬底包括第一器件区域和第二器件区域，其中第一器件区域与第二器件区域上形成的半导体器件需要不同厚度的栅氧化层；在第一器件区域进行阱离子注入形成第一阱区，在第二器件区域进行阱离子注入形成第二阱区；在第二阱区进行氮离子注入工艺；进行退火工艺激活第一阱区和第二阱区内注入的离子；以及进行一步栅氧化层生长工艺，则在第一阱区上形成的栅氧化层的厚度大于在第二阱区上形成的栅氧化层的厚度，可使通过一步栅氧化层生长工艺形成不同厚度的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382612 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011215525.9
(22)申请日 2020.11.04
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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