提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法.pdf

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本发明公开了一种提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法，方法包括：在外延层上刻蚀若干深沟槽；在每个深沟槽内沉积氧化层；其中，在每个深沟槽内沉积的氧化层呈U型结构；在每个U型结构内沉积多晶硅源极；刻蚀氧化层和多晶硅源极，使每个深沟槽内氧化层的厚度低于多晶硅源极且多晶硅源极的厚度低于外延层；在多晶硅源极的周围沉积一层薄薄的氧化层；在每个深沟槽的氧化层上沉积多晶硅栅极；对深沟槽外的外延层进行P型离子注入形成低浓度体区；根据SOA能力需求，选择性对低浓度体区进行P型离子注入形成高浓度体区

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116169160 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202310074492.8 (22)申请日 2023.02.03 (71)申请人西安电子科技大学地址 7100