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具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法。所述薄膜为单相材料，是通过单晶硅基板与钡铁氧体膜层中氧的作用，在高温下形成氧化硅层的同时诱导在基板方向氧密排面形成，且基于氧化硅的六方晶形诱导钡铁氧体形成(00l)定向生长的六角板状钡铁氧体晶粒；制备得到的Ba间隙掺杂六角板状钡铁氧体取向生长薄膜，具有在平行于薄膜方向超高介电性能，介电常数高达～107；在易磁化轴c轴方向贡献高剩磁比，高达90％；薄膜饱和磁化强度100emu/cc。本发明制备方法

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115124334 A (43)申请公布日 2022.09.30 (21)申请号 202210855296.X (22)申请日 2022.07.19 (71)申请人 浙江大学

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