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本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法，步骤包括：1)在衬底外延形成n‑漂移区；2)在有源区形成n区；3)形成栅氧化层；4)淀积多晶硅层并进行磷掺杂；5)形成p基区和终端p型场限环；6)形成n+阴极区；7)形成n体区和终端n型截止环；8)形成p++源区；9)表面平坦化；10)形成金属化的阴极和栅极；11)去掉衬底，利用衬底与n‑漂移区之间对流扩散形成的过渡区作为nFS层；12)形成p+阳极区；13)形成多层金属化的阳极A；14)形成阴极和栅极压焊区隔离图形和终端钝化膜；15)完成对终端区的表
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382568 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011157039.6
(22)申请日 2020.10.26
(71)申请人 西安理工大学
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