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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，包括自下向上依次形成的下层衬底、绝缘埋层和上层衬底，所述上层衬底包括体接触区和器件有源区；栅氧层，形成于所述上层衬底上，所述栅氧层从所述器件有源区上延伸至所述体接触区上；栅极层，至少形成于所述栅氧层上；阻挡层，形成于靠近所述器件有源区的体接触区上，且所述阻挡层将位于所述体接触区上方的所述栅极层掩埋在内。本发明的技术方案使得在对体区和源极区/漏极区之间实现隔离的同时，也使得寄生电容得到减小，从而使得截止频率得到提高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112349782 B
(45)授权公告日 2022.07.01
(21)申请号 202011223690.9 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日 2020.1
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