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一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法.pdf

    本发明属于蓝光探测器的技术领域，公开了一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法。所述探测器包括依次层叠的衬底、缓冲层、多孔GaN层、n‑GaN层、InGaN层，所述n‑GaN层上表面部分被InGaN层覆盖，另一部分为裸露部分；InGaN层上设有p‑GaN层，p‑GaN层上设有NiO层，p‑GaN层上表面部分被NiO层覆盖，另一部分为裸露部分；n‑GaN层上表面的裸露部分和p‑GaN层上表面的裸露部分设有电极层。本发明还公开了探测器的制备方法。本发明的探测器提升了蓝光波段的量子

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113972290 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111133836.5 (22)申请日 2021.09.26 (71)申请人 华南理工大学 地址

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