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一种掺杂ZnA2S4基半导体应力发光材料及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种掺杂ZnA2S4基半导体应力发光材料及制备方法.pdf

    本发明属于无机发光材料技术领域，公开了一种掺杂ZnA2S4基半导体应力发光材料及制备方法，掺杂ZnA2S4基半导体应力发光材料的化学通式为：Zn1‑xMxA2S4，A＝Ga、In、Al；0.00001≤M≤1；M是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Cr、Bi、Cu、Sb、Sn或Pb中的任意一种或多种的组合物；x表示摩尔百分比含量。本发明采用熔盐法，其无需通气，制备方法简单、对环境友好并且成本低，该材料具有不同波段的应力发光特性，应

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115093850 A (43)申请公布日 2022.09.23 (21)申请号 202210810326.5 (22)申请日 2022.07.11 (71)申请人 深圳大学 地址 5180

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