LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构.pdfVIP

下载本文档

5
0
约1.13万字
约 11页
2023-05-28 发布于四川
举报
版权申诉

LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开涉及色转换技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构，方法包括以下步骤：在芯片本体上涂覆二氧化硅材料，使其完全覆盖芯片本体的表面，以在芯片本体上形成二氧化硅覆盖层；对二氧化硅覆盖层的对应芯片本体内发光单元的位置刻蚀至使芯片本体的部分表面显露，以形成隔离矩阵槽；向二氧化硅覆盖层上涂覆色转换材料，直至完全填充隔离矩阵槽，以形成色转换层，本公开使二氧化硅覆盖层和芯片本体的氮化镓之间形成材料隔离分界线，保证了刻蚀过程中的刻蚀终点明确，从而避免了损伤到芯片本体内部的发光单元，保护

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832149 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202310112867.5 (22)申请日 2023.02.15 (71)申请人季华实验室地址 528200