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本发明公开了一种基于全介质材料的光可调四频带太赫兹超材料吸收器，包括由半导体材料制成的方形的衬底层，衬底层顶部为光栅层，光栅层顶部还覆盖有一层N型掺杂硅层。衬底层的半导体材料为电阻率为0.012～0.014Ω·cm的N型掺杂硅材料。衬底层和光栅层总厚度为280～320μm。光栅层的结构周期为p＝280～340μm，光栅槽宽为w＝60～100μm，光栅深度为t2＝100～120μm。N型掺杂硅层厚度为t3＝10～40μm，N型掺杂硅电阻率为1‑10Ω·cm。本发明解决了现有技术中存在的吸收器制作复
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112382858 B
(45)授权公告日 2022.03.15
(21)申请号 202011147404.5 (56)对比文件
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