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本发明公开了一种倒装MOSFET器件及其制作方法,其中,倒装MOSFET器件包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层;所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极,所述氧化铝介质层上设有栅电极;所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构,所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀有微纳结构阵列,提高了散热效率。相比于电子器件散热器,本发明在器件的设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382664 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011207956.0 H01L 23/367 (2006.01)
(22)申请日
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