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2023-05-28 发布于四川
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一种氧化镓基MOSFET器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种氧化镓基MOSFET器件，其包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀微纳尺寸的光子晶体孔阵列，利用具有光子晶体效应的微纳孔结构来调控器件的散热效果，提高辐射带宽和辐射效率，从而提高散热效果。同时，本发明还在光子晶体孔内设置了高导热率半导体材料，进一步提高了器件的导热效率。本发明针对氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382665 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011207957.5 H01L 23/367 (2006.01) (22)申请日

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