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本申请实施例提供了一种存储器阵列的编程方法、编程电路和存储芯片，通过监控与存储单元的源极连接的源极线或与漏极连接的位线上的电流，并将所述电流转换成电压输出信号；当需要把存储单元设置到擦除状态时，编程时将所述电压输出信号与擦除状态预设值进行对比，当电压输出信号达到擦除状态预设值时，停止编程使得存储单元不再处于过度擦除状态；当需要把存储单元设置到其它状态时，编程时将所述电压输出信号与参考电压值进行对比，所述参考电压值由待写入的数据决定，当电压输出信号达到参考电压值，停止编程。本发明提供了避免过度擦除
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112365915 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011265590.2
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 南京优存科技有限公司
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