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图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用.pdf

    本发明提供一种图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其包括具有图形结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗缓冲层、位于所述硅锗缓冲层上的硅锗/硅超晶格层，以及位于所述硅锗/硅超晶格层上的硅锗薄膜层，其中所述硅锗/硅超晶格层包括交替生长的硅锗层和硅层。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构的制备方法。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构在应变硅器件中的应用。本发明提供的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其穿透位错密度低且表面粗糙度低。基于所述硅锗薄膜层生长的应变硅器件，可有效减少缺陷

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112382657 B (45)授权公告日 2022.03.18 (21)申请号 202011276489.7 H01L 29/15 (2006.01)

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