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本发明公开了一种GaN基紫外探测器及其制作方法，其中，所述探测器包括：衬底；多个隔开设置在衬底上的吸收晶体层，所述吸收晶体层由GaN制成；将所有吸收晶体层形成导电连接的电极，所述电极包括接触层和导电层，所述接触层设于吸收晶体层和导电层之间，其中，所述接触层由金属活动性(φA/V)大于0.9eV的金属制成，所述导电层的材料选自Au、Al、Ag和Cu中一种或几种。本发明的电极采用金属活动性低的金属来制成接触层，以及采用高导电率和紫外光吸收率低的金属来制成导电层来形成金属叠层结构，在减少电极对紫外光吸
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112366234 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011284979.1
(22)申请日 2020.11.17
(71)申请人 佛山
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