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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明涉及一种基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管的制备方法，其包括：S1、提供衬底，对衬底进行清洗和亲水处理；S2、利用水溶液法，在衬底的一表面制备锂掺杂透明氧化物绝缘层；S3、对锂掺杂透明氧化物绝缘层亲水处理；S4、利用水溶液法，在锂掺杂透明氧化物绝缘层上制备氧化物半导体层；S5、利用热蒸发工艺，在氧化物半导体层上制备源电极和漏电极；S6、利用热蒸发工艺，在衬底远离锂掺杂透明氧化物绝缘层的一侧制备栅电极，该制备方法环保，低温，可大面积制备，制备中较低的温度使得制作流程简单高效，可大幅减少制
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382573 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011261096.9
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 西交
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