1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约8.43千字
  • 约 12页
  • 2023-05-28 发布于四川
  • 举报

改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法.pdf

    本公开提供一种改善寄生沟道效应的NS‑FET制备方法，包括：操作S1：在衬底上生长外延层并在外延层上制备掩膜；操作S2：对应所述掩膜刻蚀部分衬底形成鳍条部，刻蚀整个外延层形成沟道部；操作S3：在所述鳍条部的两侧台面区填充隔离材料形成隔离区；操作S4：制备侧墙包裹所述沟道部；操作S5：去除部分所述隔离材料并刻蚀窄化裸露出的鳍条部生成鳍条，去除所述侧墙及所述掩膜后制作栅极和源漏，完成改善寄生沟道效应的NS‑FET的器件制备。本公开还提供一种改善寄生沟道效应的NS‑FET。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349591 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 202011167515.2 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >