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本发明提供一种减小晶圆标记区域电弧放电的结构及方法,该方法包括:提供衬底,于衬底上形成下层金属互连层,下层金属互连层包括金属连接层与介质层;于介质层中形成显露金属连接层接触通孔;于接触通孔中填充金属以形成与金属连接层电连接的导电插塞;于介质层上形成顶层金属层并图形化,顶层金属层用作晶圆标记的部分通过导电插塞与下层金属互连层电连接。本发明中晶圆标记顶金属层下方设有导电插塞,通过导电插塞将晶圆标记顶金属层与下层金属互连层和衬底互连,实现电荷在金属连接层及衬底上均匀分布,避免晶圆标记顶金属层收集的电荷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115831865 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202310160100.X
(22)申请日 2023.02.24
(71)申请人 广州粤芯半导体技术有限公司
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