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本发明公开了一种薄膜基体镀前等离子体处理方法及其设备，通过狭缝可有效解决了放料室、前处理室和镀膜室之间的串气问题，避免各腔室功能在实现过程发生气氛变化，确保各腔室的功能稳定实现。薄膜基体在经过前处理室时通过限位板进行限定，防止薄膜基体在收到离子风而产生位移，确保基体表面镀前处理效果；而且通过等离子体装置能大大提高Ar原子的离化率，在空间范围内形成高密度的等离子体，有效提升薄膜基体表面的快速镀前清洁能力，进而快速将薄膜基体表面吸附的杂质气体充分释放干净，不仅清洁效果好、速度快，而且确保了薄膜基体镀
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112359316 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011294312.X
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 松山
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