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本发明公开了一种单晶生长过程压力监控系统，其技术方案是：包括底板，所述底板顶部固定连接有石英坩埚和储气罐，所述石英坩埚位于储气罐一侧，所述石英坩埚一侧设有压紧机构；所述压紧机构包括密封罩，所述密封罩固定连接在石英坩埚一侧，所述密封罩位于石英坩埚和储气罐内侧，所述密封罩内部嵌设有基座，一种单晶生长过程压力监控系统有益效果是：通过设置压紧机构，可在压力调节时，两个夹座同时靠近将支管和接口夹紧，保证接口和支管连接的可靠性，避免泄露发生，同时还可实时对石英坩埚、储气罐和密封罩内部进行压力监测，并可通过密
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112362222 B
(45)授权公告日 2022.03.04
(21)申请号 202011240163.9 G01M 3/28 (2006.01)
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