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一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片.pdf

    本发明提供一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片，所述保护层用于防止超导芯片的氧化，所述保护层作为势阱，用于捕获超导芯片中的准粒子。所述保护层具有优异的抗氧化性以及耐腐蚀性能，有效地防止超导金属层的表面自然氧化及减小超导量子芯片的表面微波损耗，同时能捕获准粒子，提高超导量子比特相干时间。此外，所述保护层兼具优异的导电性和导热性，膨胀系数低，有助于芯片间粘合、导电及稳定。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115835768 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202310093192.4 (22)申请日 2023.02.10 (71)申请人 材料科学姑苏实验室 地址 2150

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