一种TFET器件研究用模拟系统.pdfVIP

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本发明属于TFET器件技术领域,尤其是一种TFET器件研究用模拟系统,现提出如下方案,包括底板,所述底板的贯穿有第一通孔,所述第一通孔的底部安装有推动机构,所述第一通孔的顶部开口处安装有与底板顶部固接的矩形结构的承载机构,所述承载机构外侧安装有与底板顶部固接的罩壳,所述承载机构相邻的两侧外侧壁均安装有与罩壳固接的衬底上料机构,所述衬底上料机构的正下方安装有位于底板顶部的衬底输送机构,所述承载机构的顶部安装有与罩壳顶部内侧壁固结的顶端上料机构。本发明该设计利用模拟预组装检测方式对TFET器件进行操

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112379238 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011093925.7 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人 安徽科技学院 地址

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