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铜互联工艺中电镀铜填充方法及铜互联结构.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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铜互联工艺中电镀铜填充方法及铜互联结构.pdf

    本发明涉及铜互联工艺中电镀铜填充方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括在第一介质层中形成凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧面形成阻挡层，并在阻挡层上形成籽晶层；进行铜电镀工艺，其中在铜电镀工艺过程中，在电镀液中间歇加入杂质金属离子，以使对于一片晶圆，在铜电镀工艺开始时，在电镀液中加入有杂质金属离子，以在籽晶层表面形成一层合金层，在合金层的形成过程中杂质金属离子完全消耗，而后进入纯铜电镀工艺阶段，通过纯铜电镀工艺将所述凹槽填充而构成铜互联结构的主体铜结构，可大大减小铜导线电阻值，并可提升EM，且可使工

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382610 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011251727.9 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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