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提供半导体装置的结构及形成方法。此方法包含形成半导体堆叠物,半导体堆叠物具有第一牺牲层和第一半导体层交替排列。此方法也包含将半导体堆叠物图案化,以形成第一鳍结构和第二鳍结构。此方法还包含以第三鳍结构取代第二鳍结构,第三鳍结构具有第二牺牲层和第二半导体层交替排列。此外,此方法包含移除第一鳍结构的第一牺牲层和第三鳍结构的第二牺牲层。此方法包含形成第一金属栅极堆叠物和第二金属栅极堆叠物以分别环绕第一鳍结构的每个第一半导体层和第三鳍结构的每个第二半导体层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420610 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20201
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