一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法.pdf

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一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法，该像素基于背照式工艺，对钳位光电二极管n型区结构进行优化，形成“袋状”耗尽区，延伸并覆盖硅衬底背面感光区域，扩大耗尽区面积，提高光生电子的收集效率；同时，在钳位光电二极管p+型钳位层上方引入金属反射层，对部分由硅衬底背面入射，经过耗尽区未被完全吸收，从硅衬底正面出射的光子进行光学反射，使其从硅衬底正面再次入射并重新被耗尽区吸收，提高入射光子被吸收的效率。通过两种方法的共同作用，有效提高入射光子转化为光生电子的效率和光生电子被收集的效率，进一步提高像素

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397532 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191