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本发明是一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构,属晶硅太阳电池技术领域。本发明包括如下功能层:晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜和电极;其组成顺序方式是:在晶硅衬底上沉积钝化薄膜,钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上,然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上,在缓冲层上沉积透明导电薄膜,最后在透明导电薄膜上制备电极。本发明的电子选择性接触可以实现高效的电子选择功能,同时具有低的寄生光学吸收,或者被钙钛矿层吸收的光子能有效转化成电池的光电流并被输出,因而提高晶硅太阳电池的光谱响应,最终提高转换效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 111900228 B
(45)授权公告日 2022.02.15
(21)申请号 202010792011.3 H01L 31/0236 (2006.01)
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