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本发明公开了一种端面耦合器及其制作方法,该制作方法包括:提供一光子芯片,在光子芯片的耦合端的上表面具有波导;在耦合端的上表面形成一层覆盖波导并与波导键合的衬底;在衬底表面涂布一层光刻胶层;通过分步曝光和显影,将光刻胶层制作成楔形结构,楔形结构的正投影至少与波导部分重叠,且越远离波导的端面,楔形结构的截面积越大;通过对衬底进行刻蚀,以在衬底上形成与楔形结构对应的模斑转换器。由于模斑转换器的制作是在光子芯片的波导完成后进行,因此属于后道工艺;通过采用分步曝光的方法制作,端面耦合器制作过程更快速;通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112394446 B
(45)授权公告日 2023.04.14
(21)申请号 201910742763.6 审查员 倪佳敏
(22)申请日 2019.08.13
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