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公开了半导体器件和方法。提供了一种半导体器件，其包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的复合层。复合层包括台面和第一绝缘层。台面具有顶表面、底表面和侧面，侧面嵌入在第一绝缘层中。台面包括基于III族氮化物的多层结构，基于III族氮化物的多层结构提供基于III族氮化物的器件，基于III族氮化物的器件具有被布置在台面的顶表面上的第一电极和第二电极，并且第一绝缘层由氧化物材料和/或氮化物材料形成。第一外部接触和第二外部接触定位在复合层的第二表面上。第一导电通孔延伸通过第一绝缘层并且被电耦合到台面的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420817 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010849467.9 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日
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