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本发明实现一种等离子体处理装置,其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20);设置有多个气体喷出口(30)的多个组群,所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直,且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近;并且还包括气体流量控制部,其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112425269 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 201980047003.1 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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