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一种实现像素内相关双采样的高速全局曝光像素结构,包括光电二极管(PD)、复位晶体管(RST)、电荷传输晶体管(TX)、两个源极跟随器(SF1、SF2)、多功能晶体管(PC)、三个MOS开关(S1、S2、S3)、选择晶体管(SEL)、两个电容(C1、C2);该像素结构能够实现像素内相关双采样(CDS)操作,消除电荷‑电压转换节点(FD)的复位噪声,提高图像的信噪比,提升图像质量;CDS操作在像素内实现,避免额外的CDS电路,减少在芯片面积同时降低时间延迟,提高帧率;能够实现曝光和像素的流水线操作,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112399113 B
(45)授权公告日 2022.07.05
(21)申请号 201910741608.2 CN 102447848 A,2012.05.09
(22)申请日 20
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