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2023-05-29 发布于四川
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一种GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构.pdf

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本发明公开了一种GaNHEMT缩放模型电路拓扑结构，其中，晶体管GH1的栅极G、源极S和漏极D，分别与直流电源VG、VS和VD的正极相接；晶体管GH2的栅极G、源极S和漏极D，分别与电感L2的一端、电感L1的一端和电感L3的一端相接；电感L2的另一端，接直流电源Vgs的正极；电感L1的另一端，接直流电源V0的负极；电感L3的另一端，接直流电源Vds的正极；其中，晶体管GH2的源极S和漏极D，还与表基电流源的两端相接。本发明公开的一种GaNHEMT缩放模型电路拓扑结构，可以解决模型精度和延展性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112417804 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011251658.1 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人天津大学地址 30

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