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ICS 29. 045 CCS H 82 T/CASME 中国中小商业企业协会团体标准 T/CASME XXXX—2023 半导体用硅环技术要求 Technical requirements for silicon rings for semiconductors （征求意见稿） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 xxxx - xx - xx 发布 xxxx - xx - xx 实施 中国中小商业企业协会 发布 T/CASME XXXX—2023 、 I 目lj 言 本文件按照GB/T 1.1 —2020 《标准化工作导则 第1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布单位不承担专利识别的责任。 本文件由XXXX提出。 本文件由XXXX归口。 本文件起草单位： XXXX 本文件主要起草人： XXXX I T/CASME XXXX—2023 半导体用硅环技术要求 1 范围 本文件规定了半导体用硅环的术语和定义、生产加工、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、 贮存和运输方面的内容。 本文件适用千8~12英寸千法蚀刻28纳米以下（含28纳米）制程工艺。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用千本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用千本 文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含晕红外吸收测量方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用千本文件。 3. 1 平面度 flatness 按GDT标识与定义，指的硅环厚度的实际平面与理论平面的误差，单位为mm。 3.2 粗糙度 Roughness 按ISO 4287测量标准，指的是硅环表面微观状态下的纹理（又称为轮廓）波动水平的算数平均值， 采用Ra指标来评价，单位为um。 3.3 表面等级 surface grade 表面等级可分为以下三个等级： a) AA 区，硅环既曝露千等离子体环境下，具有真空密封功能，又直接与晶圆接触的区域； b) A 区，硅环只曝露千等离子体环境下，具有静电吸附功能，但不接触晶圆的区域； c) B 区，硅环既不曝露千等离子休环境，也不具有特殊功能，不接触晶圆的区域。 3.4 划伤 scratch 因防护，加工不当等造成的产品表面刮痕。 3.5 Lap 划伤 Lap scratch Lapping 工序形成的特有划痕。 3.6 晶间裂纹 crack 俗称花纹，它是多晶