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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明公开了一种基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，包括n型单晶硅基础层，n型单晶硅基础层的反面依次有氟掺杂的氮化硅层/富氮的氮化硅层/银层，n型单晶硅基础层的正面依次有氟掺杂的氮化硅层/氧掺杂的氮化硅层/银电极。氟掺杂的氮化硅对硅起到了优异的表面钝化作用，氧掺杂的氮化硅、富氮的氮化硅分别起到了空穴选择性接触和电子选择性接触的作用。通过掺杂调控氮化硅薄膜中的固有电荷密度以及电荷的正负属性，从而改变材料的电荷俘获能力，使得氮化硅薄膜材料兼具电子选择性接触和空穴选择性接触的功能，同时电池的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832066 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211623964.2
(22)申请日 2022.12.16
(71)申请人 浙江师范大学
地址 321004
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