半导体中载流子的统计分布.pptVIP

谢谢！ Thanks ！ Next：第4章 半导体的导电性 大家做好预习！ * 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： （2）电离杂质的浓度 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） n型半导体的载流子浓度 — 讨论随温度升高载流子的浓度变化 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） 讨论随温度升高载流子的浓度变化 特征：1、本征激发可以忽略， p0≌0。 2、导带电子主要由电离杂质提供。 3、nD+ ND 弱电离 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为n0=nD+ 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （1）低温弱电离区： 3.4 杂质半导体中载流子统计 （1）低温弱电离区： 特征： 1、本征激发可以忽略， p0≌0。 2、导带电子主要由电离杂质提供。 3、随着温度T的增加， nD+已足够大 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为n0=nD+ 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 (2)中间弱电离区： 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 (2)中间弱电离区： 特征： 1、本征激发可以忽略， p0≌0。 2、导带电子主要由电离杂质提供。 3、杂质基本全电离 nD+≌ND 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 n0=ND 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （3）强电离区： 这时， 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （3）强电离区： 注：强电离与弱电离的区分： 决定杂质电离因素： 1、杂质电离能； 2、杂质浓度。 3、温度 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发不以忽略。 3、导带电子主要由电离杂质和本征激发共同提供。 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 n0=ND+p0 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 代入 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 讨论： 显然： ，过渡区接近于强电离区。 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）、过渡区： 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （4）过渡区： 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发提供的载流子远大于 3、杂质电离的载流子 ni ND 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 N0=p0 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 （5）高温本征激发区： 1. 低温弱电离区 n型Si中Ef与温度T的关系总结： 4. 本征激发区 3. 过渡区 2. 饱和电离区 杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体中载流子统计 n型Si中电子浓度n与温度T的关系总结： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4 杂质半导体中载流子统计 3.4.1 非补偿情形（单一掺杂） 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.5 一般情况下的载流子统计分布 补偿情形： 3.6 简并半导体 3.6.1 简并的出现 3.5 简并半导体 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 3.5