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基于m面4H-SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法.pdfVIP

基于m面4H-SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法.pdf

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    本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397604 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202011290925.6 H01L 31/036 (2006.01)

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