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晶锭剥离方法及晶锭剥离装置.pdfVIP

晶锭剥离方法及晶锭剥离装置.pdf

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    本申请实施例提供一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置，属于半导体衬底制备技术领域。晶锭剥离方法包括：将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处，通过激光束完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工，以使预设剥离面处形成改质层。对磁流变液施加磁场，使得磁流变液相对晶锭运动以磨抛并去除改质层。晶锭剥离装置用于进行晶锭剥离方法。激光剥离的过程中能够实现磨抛，在有效改善剥离表面质量的情况下，能够提高加工效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112404735 B (45)授权公告日 2022.03.04 (21)申请号 202011237230.1 (51)Int.Cl.

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