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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明提供一种高纯锗漂移探测器，包括主体部分，其包括探测器晶体、覆盖全部表面的无定形锗接触层和电极层；电极层包括最顶部的分离电极组和最底部的整体电极，分离电极组包括电荷收集电极和环绕的多个环形电极，最外侧的为保护环电极，其余为漂移电极；电压偏置部分，向环形电极和整体电极均施加正偏压，且漂移电极施加的电压绝对值由外到里逐渐递减，电荷收集电极处于地电位；和信号采集处理系统。本发明的探测器结合漂移探测器构型、锗晶体的厚尺寸和无定形锗接触工艺，将漂移拓扑结构应用在基于无定形锗接触的平面型高纯锗探测器中，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115826031 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211435148.9
(22)申请日 2022.11.16
(71)申请人 中国科学院上海高等研究院
地址 2
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