一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法.pdf

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本发明提供一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法，包括以下步骤：将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入Ni源进行沉积，所述Ni源为气相Ni源，得到沉积有Ni源的衬底；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫；在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Ni源进行单原子反应，得到纳米NiSix薄膜；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四1～3000次，通过重复不同次数制备得到不同厚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112442681 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202011077872.X C23C 16/02 (2006.01) (22)申请日