半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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提供在背面侧具有厚的金属层但也能够容易地芯片化的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备:半导体部;金属层,覆盖半导体部的背面;第1电极,设置于半导体部的表面上;第2电极,在半导体部的表面上与第1电极并排地配置;第1控制电极,设置于第1电极与半导体部之间;第1绝缘膜,将第1控制电极从半导体部电绝缘;第2控制电极,设置于第2电极与半导体部之间;第2绝缘膜,将第2控制电极从半导体部电绝缘;以及第3绝缘膜,将第1控制电极从第1电极电绝缘,并将第2控制电极从第2电极电绝缘。金属层包括:与半导体部电连接的第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466946 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 20201

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