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肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

肖特基二极管及其制备方法.pdf

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    一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：衬底层；位于所述衬底层上的漂移层；位于所述漂移层中若干分立的第一掺杂层，所述第一掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于相邻第一掺杂层之间的漂移层中的第一沟槽，且第一沟槽与第一掺杂层分立；肖特基接触电极，位于所述第一沟槽中、漂移层的顶部表面以及第一掺杂层的顶部表面。所述肖特基二极管有效的提高了反向击穿电压且降低了正向导通电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466926 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011205912.4 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人 深圳大学 地址 51

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