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2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及一种三维存储器及其控制方法，所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于所述第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，所述方法包括：在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，对所述第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压小于所述第二导通电压。该方法降低了沟道结构直径较小的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112466368 B (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202011345682.1 G11C 16/26 (2006.01)

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