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形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法.pdf

    描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112470257 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 201980049558.X (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限

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