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本发明公开了一种晶圆失效分析中的样品处理方法,先对晶圆进行研磨,去除晶圆表面的介质层及金属互连层,仅保留前段工艺层,然后通过氢氟酸溶液进行浸泡剥层。在氢氟酸溶液浸泡过程中,硅衬底与金属铜会发生电化学反应,硅衬底作为电池的负极会出现腐蚀现象;通过研磨去除硅衬底上的铜金属互连线,避免了电化学反应的发生,减少了硅衬底的腐蚀。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112435961 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 202011355971.X
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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