用于功率半导体的冷却装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及用于功率半导体的冷却装置及其制造方法，用于功率半导体的冷却装置包括：冷却器，其具有冷却路径，使得冷却介质在冷却器中流动；以及多层结构的辅助冷却板，其结合至冷却器的与所述功率半导体接触的表面。制造冷却装置的方法包括如下步骤：提供多层结构的辅助冷却板；提供冷却器，所述冷却器具有冷却路径使得冷却介质在冷却器中流动；以及将辅助冷却板结合至所述冷却器的与所述功率半导体接触的表面，其中，提供冷却器与结合辅助冷却板在相同的钎焊过程中一起进行，使得冷却器的制造与结合辅助冷却板同时进行。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447626 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191