原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法；包括：p‑Si基底层、表面助催化层和TiO2层；所述p‑Si基底层作为光电阴极；所述表面助催化层为MoS2和Rh‑P的双组分复合型助催化层；所述TiO2层作为调节p‑Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。本发明在p‑Si基底层上逐步沉积制备得到MoS2‑Rh‑P复合型助催化剂，MoS2和Rh‑P分别都在析氢助催化方面表现出优异的性能，而当复合之后他俩之间的协同作用更加能够加快析氢助催化反应速率，从而可显著提高复合体系的光电化学
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112442705 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202011241769.4 US 2018194623 A1
文档评论（0）