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一种DRAM存储器及其形成方法，所述形成方法，在刻蚀所述有源区和隔离层形成字线沟槽后，沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层，使所述隔离层中字线沟槽的宽度变宽，以使得位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度；在所述字线沟槽中形成字线结构，位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。本发明形成的字线结构呈波浪形，一方面降低字线结构的电阻；另一方面，使得在有源区边界处形成沟道，即增大了器件的导电沟道宽度，增加DRAM存
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447605 A
(43)申请公布日
2021.03.05
(21)申请号 20191
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