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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，在第一绝缘层中的第一开口内形成第一导电结构后，在上方形成导电覆盖层，导电覆盖层贴附着第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面，然后再在上方形成第二绝缘层以及位于第二绝缘层中的第二导电结构，第一导电结构中的第一金属互联线和第二导电结构中的第二金属互联线电性连接。所述导电覆盖层可起到填补第一金属互联线和第一开口之间的缝隙的作用，在形成第二导电结构后，第一开口顶部不容易产生空洞，从而有助于提升半导体器件的性能和延长半导体器件的寿命。所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447589 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202110133353.9
(22)申请日 2021.02.01
(71)申请人 晶芯成（北京）科技有限公司
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