一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法.pdf

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本发明涉及一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法。属于滤波电路技术领域。包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；硅腔谐振单元由贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层的全通孔和半通孔组成，通孔侧壁溅射和电镀金；激光贯穿通孔，贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，分布在相邻两个硅腔谐振单元的通孔的两侧，或者相邻两个硅腔谐振单元的金属层相接处。通过激光点烧打孔在相应位置上，可将通带频率上移实现通带频率向下偏移的修正功能。具有Q值高、损耗小的优

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466854 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011424346.6 (22)申请日 2020.12.09 (71)申请人昆山鸿永微波科技有限公司