一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法，包括Ge衬底，在Ge衬底上按照层状叠加结构由下至上依次设有Ge子电池、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、组分渐变缓冲层、DBR反射层、GaInAs子电池、第二隧穿结、AlGaInAs子电池、第三隧穿结、AlGaInP子电池；AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池的基区与发射区之间形成耗尽层，基区和发射区为带隙渐变结构，通过在含Al子电池中引入带隙渐变结构，提高了耗尽层的材料质量，降低光生载流子主要产生区域的少子复合速率，提

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112447868 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202011331408.9 H01L 31/0352 (2006.01)