制造半导体结构的方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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制造半导体结构的方法.pdf

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本发明公开了一种制造半导体结构的方法，包括在基板上形成前驱结构。前驱结构依序在基板上包括第一导电结构、第一间隔物层和间隔氧化物层。间隔氧化物层暴露第一间隔物层的顶表面。随后使间隔氧化物层凹陷。形成第二间隔物层以覆盖间隔氧化物层和第一间隔物层。随后蚀刻第二间隔物层的一部分和间隔氧化物层的一部分以暴露第一间隔物层的横向部分。蚀刻剩余的间隔氧化物层以在第一间隔物层与第二间隔物层之间形成气隙。在第一间隔物层的横向部分上形成第三间隔物层以密封气隙。本发明的半导体结构可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447583 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191