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实施方式提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个存储单元及连接于这些存储单元的多条位线、分别连接于这些多条位线的多个感测放大器单元、及连接于这些多个感测放大器单元的高速缓冲存储器。感测放大器单元具备：第1晶体管，连接于位线；第2晶体管，经由第1布线连接于第1晶体管；及感测晶体管，具备经由第2布线连接于第2晶体管的栅电极。而且，该半导体存储装置具备连接于第1感测放大器单元的第1布线及高速缓冲存储器的第3晶体管。而且，该半导体存储装置具备连接于第2感测放大器单元的第1
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447209 A
(43)申请公布日
2021.03.05
(21)申请号 20201
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